به منظور حل مشکلات اجزای مغناطیسی و پایانه های یکسوساز همزمان چندگانه سنتی ، فناوری مغناطیسی یکپارچه در این توپولوژی اعمال می شود. توپولوژی چندین یکسو کننده جریان مغناطیسی مقایسه می شود. در آخر ، مدل های آزمایشی و شکل موج های آزمایشی مبدل های DC / DC 1 ولت و 20 وات آورده شده است.
در مبدل DC / DC ، به دلیل ویژگی های خاص خود ، توپولوژی یکسو کننده جریان دوتایی به توپولوژی اصلاح کننده خروجی مطلوب تبدیل شده است. در مقایسه با توپولوژی یکسوساز شیرآلات میانی ، شیر ترانسفورماتور آن تنها دارای یک مجموعه سیم پیچ و ساختار نسبتاً ساده ای است. در عین حال ، تعداد پیچ های سیم پیچ سمت CDR نیز کمتر است. در مورد جریان زیاد ، افت سیم پیچ ثانویه کاهش می یابد. خروجی دارای دو سلف فیلتر است و فقط نیمی از جریان بار از هر جریان سلف عبور می کند ، بنابراین سلف فیلتر خروجی از دست دادن قدرت کمی دارد ، زیرا دو سلف فیلتر وجود دارد و نوسانات جریان / ولتاژ خروجی مبدل نسبتا کم است . اما به سه عنصر مغناطیسی نیاز دارد که ناگزیر منجر به افزایش حجم می شود و در نتیجه از چگالی توان می کاهد. در همان زمان ، پایانه های سیم کشی بسیاری وجود دارد. وقتی جریان زیاد است ، افت توان در ترمینال ها باید نسبتاً زیاد باشد. به منظور غلبه بر این کاستی ها ، از فناوری مغناطیسی یکپارچه در توپولوژی CDR استفاده می شود. ادغام مغناطیسی اصطلاحاً مبدلی است که در آن دو یا چند جز components مغناطیسی مستقل (ترانسفورماتورها ، سلف های فیلتر ورودی / خروجی) در هسته مغناطیسی قرار دارند تا حجم را کاهش دهند و چگالی توان را افزایش دهند و ترمینال ها را کاهش دهند.
این مقاله ساختار توپولوژیکی یکسو کننده چند جریان را تحلیل و مقایسه می کند و یک توپولوژی بهتر را انتخاب می کند. بر اساس توپولوژی CDR ، مبدل هایی با خروجی 1 ولت و 20 وات آزمایش می شوند و شکل موج های آزمایشی داده می شود. به خصوص هنگامی که بار زیاد است ، می توان از انرژی ذخیره شده در القا نشت در سمت اصلی ترانسفورماتور برای تحقق اصلاح همزمان درایور و کاهش پیچیدگی مدار کنترل استفاده کرد.
توپولوژی تصحیح همزمان همزمان با جریان به طور گسترده ای در مبدل های جریان بالا استفاده می شود ، اما نقص بزرگی در ساختار اجزای مغناطیسی سنتی وجود دارد. به منظور غلبه بر این کاستی ها ، از فن آوری ادغام مغناطیسی در این توپولوژی استفاده شده است. اعمال شد
