به منظور حل مشکلات اجزای مغناطیسی و پایانه های یکسو کننده های سنکرون چندگانه سنتی، از فناوری مغناطیسی یکپارچه در این توپولوژی استفاده می شود. توپولوژی چندین یکسو کننده جریان مغناطیسی مقایسه شده است. در نهایت، مدل های تجربی و شکل موج های تجربی مبدل های 1 ولت و 20 وات dc/dc ارائه شده است.
در مبدل DC/DC، به دلیل ویژگی های خاص خود، توپولوژی یکسو کننده جریان دوگانه به توپولوژی یکسوسازی خروجی بهینه تبدیل شده است. در مقایسه با توپولوژی سنتی یکسو کننده میانی شیر، سمت ترانسفورماتور آن تنها دارای یک مجموعه سیم پیچ و ساختار نسبتاً ساده است. در عین حال، تعداد چرخش سیم پیچ جانبی CDR نیز کمتر است. در مورد جریان زیاد، تلفات سیم پیچ ثانویه کاهش می یابد. خروجی دارای دو سلف فیلتر است و تنها نیمی از جریان بار از هر جریان سلف عبور می کند، بنابراین سلف فیلتر خروجی افت توان کمی دارد، زیرا دو سلف فیلتر وجود دارد و نوسان جریان/ولتاژ خروجی مبدل نسبتاً کم است. . اما به سه عنصر مغناطیسی نیاز دارد که به ناچار منجر به افزایش حجم و در نتیجه کاهش چگالی توان می شود. در همان زمان، پایانه های سیم کشی زیادی وجود دارد. وقتی جریان زیاد است، تلفات برق روی پایانه ها باید نسبتاً زیاد باشد. به منظور غلبه بر این کاستی ها، از فناوری مغناطیسی یکپارچه در توپولوژی CDR استفاده می شود. به اصطلاح یکپارچه سازی مغناطیسی مبدلی است که در آن دو یا چند جزء مغناطیسی مستقل (ترانسفورماتورها، سلف های فیلتر ورودی/خروجی) در هسته مغناطیسی برای کاهش حجم و افزایش چگالی توان و کاهش پایانه ها قرار دارند.
توپولوژی یکسوسازی همزمان زمان-جریان به طور گسترده در مبدل های جریان بالا استفاده شده است، اما نقص های بزرگی در ساختار اجزای مغناطیسی سنتی وجود دارد. برای رفع این کاستی ها از فناوری یکپارچه سازی مغناطیسی در این توپولوژی استفاده شده است. اعمال شد. این مقاله ساختارهای یکسو کننده چند جریانی را مقایسه و مقایسه می‌کند و مدل‌های مدار تجربی مربوطه را ارائه می‌دهد. تحت بار سنگین، انرژی ذخیره شده در اندوکتانس نشتی اولیه ترانسفورماتور را می توان برای تحقق خودگردانی یکسو کننده سنکرون ثانویه استفاده کرد.
