امروزه لامپ های کم مصرف و ترانزیستورهای مخصوص بالاست الکترونیکی معرفی شده توسط صنعت توجه زیادی به کنترل زمان ذخیره سازی دارند. به دلیل طولانی بودن زمان ذخیره سازی ts، فرکانس نوسان مدار کاهش می یابد و افزایش جریان کاری کل دستگاه به راحتی منجر به آسیب دیدن تریود می شود. اگرچه اندوکتانس سیم پیچ خفه کننده و سایر پارامترهای مؤلفه را می توان برای کنترل قدرت کل دستگاه تنظیم کرد، طبیعت گسسته، قوام محصول را ضعیف و قابلیت اطمینان را کاهش می دهد. به عنوان مثال، در مدار ترانسفورماتور الکترونیکی لامپ کوارتز، یک ترانزیستور با زمان ذخیره بیش از حد طولانی ممکن است باعث شود مدار در فرکانس کمتر از حد کارکرد ترانسفورماتور خروجی نوسان کند و در پایان هر سیکل، هسته اشباع شود. ، که باعث می شود Ic ترانزیستور در هر چرخه Spike ظاهر شود و در نهایت باعث داغ شدن بیش از حد و آسیب به دستگاه شود.
اگر زمان ذخیره سازی دو ترانزیستور در یک خط بسیار متفاوت باشد، امواج نیمه بالایی و پایینی جریان کار کل دستگاه به شدت نامتقارن خواهند بود، ترانزیستور سنگین به راحتی آسیب می بیند و خط نیز آسیب می بیند. هارمونیک و تداخل الکترومغناطیسی بیشتری تولید می کند.
استفاده عملی نشان می دهد که کنترل دقیق زمان ذخیره سازی و تنظیم مناسب مدار کامل می تواند درجه وابستگی به پارامترهای hFE را کاهش دهد. همچنین شایان ذکر است که در شرایط یک منطقه تراشه خاص، ویژگی های تریود، ویژگی های جریان و پارامترهای ولتاژ مقاومت متناقض هستند. بازار چین زمانی از BUT11A به عنوان بالاست الکترونیکی 220V40W استفاده می کرد. نقطه شروع این است که مقادیر BVceo و BVcbo بالا هستند. با این حال، در بیشتر مدارهای بالاست الکترونیکی، دیگر نیازی به انتخاب پارامترهای ولتاژ ترانزیستورها زیاد نیست.
